S Kaschieva: шукати на сайті Z-Library

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 1995

Oxidation of a-Si:H (SiSiO2 interface properties)

P Danesh, A Szekeres, S Kaschieva

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 417 KB

english, 1995

Multimode — A powerful code for frequency spectrum computation of electromagnetic fields in axially symmetric cavities and longitudinally homogeneous waveguides of arbitrary shape

A.I. Fedoseyev, V.V. Gusev, M.S. Kaschiev, V.A. Kaschieva, V.V. Paramonov

Журнал:

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 508 KB

english, 1984

Influence of MeV electron irradiation on the properties of by ion implantation hydrogenated polysilicon TFTs

P.V. Aleksandrova, V.K. Gueorguiev, Tz.E. Ivanov, S. Kaschieva

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2006

Characteristics of the electron-emission defects introduced in Si–SiO2 structures by MeV electron irradiation

A.F. Zatsepin, S. Kaschieva, S.N. Dmitriev, E.A. Buntov

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 216 KB

english, 2008

Radiation defects induced by 20 MeV electrons in MOS structures

S. Kaschieva, Zh. Todorova, S.N. Dmitriev

Журнал:

S. Kaschieva, Zh. Todorova

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 177 KB

english, 2004

Radiation defects in n- and p-Si MOS structures caused by consecutive ion implantation and gamma irradiation

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 179 KB

english, 2004

Effect of postoxidation cooling on the interface states introduced by ion implantation

S Kaschieva

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 245 KB

english, 1997

Use of X-ray irradiation for annealing of radiation defects introduced by ion implantation in Si–SiO2 structures

S Kaschieva, I Yourukov

Журнал:

S. Kaschieva, S.N. Dmitriev

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 144 KB

english, 1998

Influence of the ambient on radiation-induced effects during high-energy electron irradiation of MOS structures

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 90 KB

english, 2002

Electron irradiation of a-Si:H films prepared from hydrogen-diluted silane

P Danesh, B Pantchev, I Savatinova, E Liarokapis, S Kaschieva, A.G Belov

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 100 KB

english, 2002

Sensitivity of hydrogen plasma-treated SiO2/Si structures to high-energy electron irradiation

S Alexandrova, S Kaschieva, E Halova, E Valcheva, A Szekeres

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 95 KB

english, 2002

Electrical characterization of defects induced by 12 MeV electrons in p—type Si-SiO2 structures

KG Stefanov, S Kaschieva, D Karpuzov

Журнал:

S Kaschieva, S Alexandrova

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 213 KB

english, 1998

Effect of low dose γ-radiation on the annealing temperature of radiation defects in ion implanted MOS structures

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 187 KB

english, 2002

An advantage of MOS structures with ultra thin oxide during irradiation

Materials Science and Engineering: B

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 174 KB

english, 2003

Investigation of p-Type MOS Structure Irradiated with 23 MeV Electrons

Sonia Kaschieva, Elena Halova, Emilia Vlaikova, Sashka Alexandrova, Evgenia Valcheva, Sergey Dmitriev

Журнал:

Plasma Processes and Polymers

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 132 KB

english, 2006

RBS Investigation of Ion Implanted SiSiO2 Structures Irradiated with 20 MeV Electrons

Sonia B. Kaschieva, Christo V. Angelov, Sergey N. Dmitriev, Gichka I. Tsutsumanova

Журнал:

Plasma Processes and Polymers

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 97 KB

english, 2006

Soft X-ray emission spectroscopy of low-dimensional SiO2/Si interfaces after Si+ ion implantation and ion beam mixing

D. A. Zatsepin, S. Kaschieva, M. Zier, B. Schmidt, H.-J. Fitting

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 380 KB

english, 2010

The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures

R. N. Litovskii, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, T. E. Rudenko, S. B. Kaschieva, N. R. Nedev

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 519 KB

english, 1983

Influence of backside implantation on the impurity concentration in the Si-SiO2 system

physica status solidi (a)

Журнал:

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 135 KB

english, 1991

Defect formation in oxygen- and boron- implanted MOS structures after gamma irradiation

S. Kaschieva, L. Rebohle, W. Skorupa

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 206 KB

english, 2003

Reduction of the annealing temperature of radiation-induced defects in ion-implanted MOS structures

S. Kaschieva, S.N. Dmitriev, W. Skorupa

Журнал:

S. Kaschieva, S. N. Dmitriev

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 167 KB

english, 2004

Radiation defects introduced by MeV electrons in argon implanted MOS structures

Журнал:

S. Kaschieva, K.G. Stefanov, D. Karpuzov

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 2009

Electron irradiation of ion-implanted n-type Si-SiO2 structures studied by deep-level transient spectroscopy

Журнал:

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 81 KB

english, 1998

On the interaction of hydrogen RF plasma with implantation-induced defects in MOS structures

P. Danesh, S. Kaschieva, A. Djakov

Журнал:

Physics of the Solid State

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 434 KB

english, 1985

Formation of the buffer layer of silicon suboxides SiOxin the Si/SiO2low-dimensional heterosystem after Si+ion implantation: SiL2, 3X-ray emission spectra

D. A. Zatsepin, E. A. Panin, S. Kaschieva, H. -J. Fitting, S. N. Shamin

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 193 KB

english, 2009

Formation and electron-beam annealing of implantation defects in a thin-film Si-SiO2heterostructure

A. F. Zatsepin, S. Kaschieva, D. Yu. Biryukov, S. N. Dmitriev, E. A. Buntov

Журнал:

Technical Physics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 234 KB

english, 2009

Influence of high energy electron irradiation on the characteristics of polysilicon thin film transistors

P. V. Aleksandrova, V. K. Gueorguiev, Tz. E. Ivanov, S. Kaschieva

Журнал:

The European Physical Journal B / Condensed Matter and Complex Systems

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 267 KB

english, 2006

Phase diagram of the TeO2GeO2 system

Y. Dimitriev, E. Kaschieva, E. Gurov

Журнал:

Materials Research Bulletin

Рік:

1976

Мова:

english

Файл:

PDF, 1008 KB

english, 1976

Reduction of the radiation sensitivity of MOS structures by irradiation-anneal cycle treatment

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 301 KB

english, 1993

Influence of high energy electron irradiation on the interface states of the Si-SiO2 system